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IRF7704TR

IRF7704TR

참조 용

부품 번호 IRF7704TR
PNEDA 부품 번호 IRF7704TR
설명 MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,852
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7704TR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7704TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF7704TR, IRF7704TR 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 193.6 KB)
PDFIRF7704TR 데이터 시트 표지
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IRF7704TR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs46mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3150pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-TSSOP
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

제조업체

IXYS

시리즈

Linear L2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

CSD18534Q5A

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1770pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSONP (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

2SK4094-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12500pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.75W (Ta), 90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 95µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

166nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13000pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

167W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BLM18AG601SN1D

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FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

2744045447

2744045447

Fair-Rite Products

CMC 5A 2LN 60 OHM SMD

NFE31PT222Z1E9L

NFE31PT222Z1E9L

Murata

FILTER LC(T) 2200PF SMD

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

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CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

APXH200ARA470MH70G

APXH200ARA470MH70G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 47UF 20% 20V SMD

PME271Y447MR30

PME271Y447MR30

KEMET

CAP FILM 4700PF 20% 1KVDC RADIAL

ELXY500ETC560MF15D

ELXY500ETC560MF15D

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