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IRF7748L1TRPBF

IRF7748L1TRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7748L1TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7748L1TRPBF
설명 MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6
제조업체 Infineon Technologies
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IRF7748L1TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7748L1TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IRF7748L1TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)28A (Ta), 148A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 89A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs220nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8075pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.3W (Ta), 94W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DIRECTFET L6
패키지 / 케이스DirectFET™ Isometric L6

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

954pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

3000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

895pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

195W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

BSS138NH6327XTSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

230mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 230mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 26µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

41pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRLU024

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 8.4A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251AA

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SQP10250E_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4050pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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