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IRF7755GTRPBF

IRF7755GTRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7755GTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7755GTRPBF
설명 MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7755GTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7755GTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7755GTRPBF, IRF7755GTRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 234.74 KB)
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IRF7755GTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1090pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V, 1120pF @ 30V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI1926DL-T1-E3

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제조업체

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

370mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18.5pF @ 30V

전력-최대

510mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

ECH8693R-TL-W

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

275pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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