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IRF7756GTRPBF

IRF7756GTRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7756GTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7756GTRPBF
설명 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 8,604
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7756GTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7756GTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7756GTRPBF, IRF7756GTRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 236.53 KB)
PDFIRF7756GTRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRF7756GTRPBF Distributor

IRF7756GTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 10V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

660mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

AUIRF7379QTR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ECH8667-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

BSO612CV

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

전력-최대

2W

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