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IRF7757TRPBF

IRF7757TRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7757TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7757TRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7757TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7757TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7757TRPBF, IRF7757TRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 150.42 KB)
PDFIRF7757TRPBF 데이터 시트 표지
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IRF7757TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1340pF @ 15V
전력-최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1947pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

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SI5511DC-T1-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

435pF @ 15V

전력-최대

3.1W, 2.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

NVDD5894NLT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2103pF @ 25V

전력-최대

3.8W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

D-Pak 5-Lead

NX3008NBKV,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

DMN63D1LDW-7

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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2 N-Channel (Dual)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 25V

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310mW

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LT1963AEST-3.3#TRPBF

LT1963AEST-3.3#TRPBF

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IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3