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IRF7757TRPBF

IRF7757TRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7757TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7757TRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,988
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7757TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7757TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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IRF7757TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1340pF @ 15V
전력-최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Advanced Linear Devices Inc.

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 5V

전력-최대

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

33pF @ 5V

전력-최대

272mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMC1030UFDBQ-7

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1003pF @ 6V

전력-최대

1.36W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

DMC1229UFDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A, 3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.6nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

914pF @ 6V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

SI5511DC-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

435pF @ 15V

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