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IRF9395MTR1PBF

IRF9395MTR1PBF

참조 용

부품 번호 IRF9395MTR1PBF
PNEDA 부품 번호 IRF9395MTR1PBF
설명 MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF9395MTR1PBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF9395MTR1PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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IRF9395MTR1PBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs64nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3241pF @ 15V
전력-최대2.1W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DirectFET™ Isometric MC
공급자 장치 패키지DIRECTFET™ MC

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

780mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.58A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1495pF @ 10V

전력-최대

880mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

103A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

114nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

FDG6306P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

114pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

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