IRFH5302TR2PBF
참조 용
| 부품 번호 | IRFH5302TR2PBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRFH5302TR2PBF |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,554 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRFH5302TR2PBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFH5302TR2PBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IRFH5302TR2PBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 32A (Ta), 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4400pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.6W (Ta), 100W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PQFN (5x6) Single Die |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4430pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.43nC @ 10V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7.5pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-CP 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 8™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 190mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6640pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 624W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 [B] 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Ta), 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4300pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-LFPAK 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 |
