IRFH7911TR2PBF
참조 용
| 부품 번호 | IRFH7911TR2PBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRFH7911TR2PBF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,734 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRFH7911TR2PBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFH7911TR2PBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRFH7911TR2PBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A, 28A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1060pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2.4W, 3.4W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 18-PowerVQFN |
| 공급자 장치 패키지 | PQFN (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2260pF @ 25V 전력-최대 50W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-4 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 25V 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 16V 전력-최대 1.42W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 5.6V @ 50mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 10V 전력-최대 880W 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-223-8 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
