IRFH7911TRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRFH7911TRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRFH7911TRPBF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,384 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRFH7911TRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFH7911TRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRFH7911TRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A, 28A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1060pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2.4W, 3.4W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 18-PowerVQFN |
| 공급자 장치 패키지 | PQFN (5x6) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 10V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-UDFN (1.6x1.6) |
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