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IRFI4020H-117P

IRFI4020H-117P

참조 용

부품 번호 IRFI4020H-117P
PNEDA 부품 번호 IRFI4020H-117P
설명 MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 8,112
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFI4020H-117P 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFI4020H-117P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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IRFI4020H-117P 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.9V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1240pF @ 25V
전력-최대21W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-5 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220-5 Full-Pak

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A, 22.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2127pF @ 25V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AO4620

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

448pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMN2019UTS-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 10V

전력-최대

780mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SH8M13GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

NX3008PBKV,115

Nexperia

제조업체

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

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