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IRFS3307

IRFS3307

참조 용

부품 번호 IRFS3307
PNEDA 부품 번호 IRFS3307
설명 MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,546
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFS3307 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFS3307
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFS3307, IRFS3307 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 356.88 KB)
PDFIRFSL3307 데이터 시트 표지
IRFSL3307 데이터 시트 페이지 2 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 3 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 4 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 5 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 6 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 7 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 8 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 9 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 10 IRFSL3307 데이터 시트 페이지 11

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IRFS3307 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5150pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)250W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

450mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

75pF @ 18V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

패키지 / 케이스

E-Line-3

IPI80N06S3L06XK

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

196nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9417pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

117mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

147pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830mW (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NDF08N50ZG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1095pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.1nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 2.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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