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IRG4IBC20FDPBF

IRG4IBC20FDPBF

참조 용

부품 번호 IRG4IBC20FDPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4IBC20FDPBF
설명 IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4IBC20FDPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4IBC20FDPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IRG4IBC20FDPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14.3A
전류-수집기 펄스 (Icm)64A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 9A
전력-최대34W
에너지 전환250µJ (on), 640µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C43ns/240ns
테스트 조건480V, 9A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220AB Full-Pak

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/127ns

테스트 조건

960V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

IKY75N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

전력-최대

938W

에너지 전환

3.4mJ (on), 2.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

370nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/303ns

테스트 조건

600V, 75A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

292ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

PG-TO247-4

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

350W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

APT75GP120B2G

Microsemi

제조업체

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시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전력-최대

1042W

에너지 전환

1620µJ (on), 2500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

320nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/163ns

테스트 조건

600V, 75A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

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