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IRG5K50HF06A

IRG5K50HF06A

참조 용

부품 번호 IRG5K50HF06A
PNEDA 부품 번호 IRG5K50HF06A
설명 MOD IGBT 600V 50A POWIR 34
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,308
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG5K50HF06A 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG5K50HF06A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IRG5K50HF06A, IRG5K50HF06A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 862.84 KB)
PDFIRG5K50HF06A 데이터 시트 표지
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  • IRG5K50HF06A Distributor

IRG5K50HF06A 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대245W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지POWIR® 34

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

ModSTACK™ 3

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB300TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1645W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전력-최대

80W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

400µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

530pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGL475DA120D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

610A

전력-최대

2080W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

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