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IRG5U75HF06A

IRG5U75HF06A

참조 용

부품 번호 IRG5U75HF06A
PNEDA 부품 번호 IRG5U75HF06A
설명 MOD IGBT 600V 75A POWIR 34
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,280
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 18 - 6월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG5U75HF06A 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG5U75HF06A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IRG5U75HF06A, IRG5U75HF06A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 978.21 KB)
PDFIRG5U75HF06A 데이터 시트 표지
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  • IRG5U75HF06A Distributor

IRG5U75HF06A 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대330W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce4.3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지POWIR® 34

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

710W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13.7nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS20R06XL4BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

26A

전력-최대

89W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

900pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

AG-EASY750-1

IRG5W50HF06A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

260W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

FD600R17KE3KB5NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

4300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFRED®

IGBT 유형

Trench

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

139A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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