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IRG7PG35U-EPBF

IRG7PG35U-EPBF

참조 용

부품 번호 IRG7PG35U-EPBF
PNEDA 부품 번호 IRG7PG35U-EPBF
설명 IGBT 1000V 55A 210W TO247AD
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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예상 배송 10월 1 - 10월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG7PG35U-EPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG7PG35U-EPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG7PG35U-EPBF, IRG7PG35U-EPBF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 429.94 KB)
PDFIRG7PG35UPBF 데이터 시트 표지
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IRG7PG35U-EPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)55A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 20A
전력-최대210W
에너지 전환1.06mJ (on), 620µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지85nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/160ns
테스트 조건600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/160ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

57nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/148ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

FGAF20N60SMD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전력-최대

75W

에너지 전환

452µJ (on), 141µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/91ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

26.7ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 6A

전력-최대

88W

에너지 전환

200µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

42nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/130ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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