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IRG8CH76K10F

IRG8CH76K10F

참조 용

부품 번호 IRG8CH76K10F
PNEDA 부품 번호 IRG8CH76K10F
설명 IGBT CHIP WAFER
제조업체 Infineon Technologies
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IRG8CH76K10F 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG8CH76K10F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG8CH76K10F, IRG8CH76K10F 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 197.05 KB)
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  • IRG8CH76K10F Distributor

IRG8CH76K10F 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 75A
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지480nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C80ns/210ns
테스트 조건600V, 75A, 1.5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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ON Semiconductor

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Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

STGB3HF60HD

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

전력-최대

38W

에너지 전환

19µJ (on), 12µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/60ns

테스트 조건

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

265A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

전력-최대

357W

에너지 전환

3.43mJ (on), 430µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/200ns

테스트 조건

850V, 21A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

RGT30NS65DGC9

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

133W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/64ns

테스트 조건

400V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

IRG4RC10K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

160µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/51ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D-Pak

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