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IRGIB4630DPBF

IRGIB4630DPBF

참조 용

부품 번호 IRGIB4630DPBF
PNEDA 부품 번호 IRGIB4630DPBF
설명 IGBT 600V 47A 206W TO220
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGIB4630DPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGIB4630DPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGIB4630DPBF, IRGIB4630DPBF 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,333.19 KB)
PDFIRGIB4630DPBF 데이터 시트 표지
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IRGIB4630DPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)47A
전류-수집기 펄스 (Icm)54A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 18A
전력-최대206W
에너지 전환95µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지35nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/105ns
테스트 조건400V, 18A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)100ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220 Full Pack

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

전력-최대

790W

에너지 전환

6.25mJ (on), 1.96mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

399nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/332ns

테스트 조건

600V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

99ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

HGT1S7N60C3DS9A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

전력-최대

60W

에너지 전환

165µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

480V, 7A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

제조업체

IXYS

시리즈

Polar™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

250ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT50GN120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

134A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

543W

에너지 전환

4495µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

315nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/320ns

테스트 조건

800V, 50A, 2.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 8A

전력-최대

30W

에너지 전환

80µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

20.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/55ns

테스트 조건

300V, 8A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FL

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