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IRGS4615DTRRPBF

IRGS4615DTRRPBF

참조 용

부품 번호 IRGS4615DTRRPBF
PNEDA 부품 번호 IRGS4615DTRRPBF
설명 IGBT 600V 23A 99W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,122
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGS4615DTRRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGS4615DTRRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGS4615DTRRPBF, IRGS4615DTRRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 315.1 KB)
PDFIRGS4615DTRRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRGS4615DTRRPBF Distributor

IRGS4615DTRRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)23A
전류-수집기 펄스 (Icm)24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 8A
전력-최대99W
에너지 전환70µJ (on), 145µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지19nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/95ns
테스트 조건400V, 8A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

270W

에너지 전환

450µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/173ns

테스트 조건

400V, 25A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

NGTB25N120LWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

전력-최대

192W

에너지 전환

3.4mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

89ns/235ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IXGP20N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

6.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/400ns

테스트 조건

800V, 20A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG7PH42UD-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

320W

에너지 전환

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/229ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

153ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

NGTB50N65S1WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.25mJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

75ns/128ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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