IRL100HS121
참조 용
| 부품 번호 | IRL100HS121 |
| PNEDA 부품 번호 | IRL100HS121 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 6PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,388 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRL100HS121 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRL100HS121 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IRL100HS121 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 6.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 440pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 11.5W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 6-PQFN (2x2) |
| 패키지 / 케이스 | 6-VDFN Exposed Pad |
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제조업체 IXYS Integrated Circuits Division 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs 380Ohm @ 20mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 400mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 110°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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