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IRL3715ZSTRL

IRL3715ZSTRL

참조 용

부품 번호 IRL3715ZSTRL
PNEDA 부품 번호 IRL3715ZSTRL
설명 MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRL3715ZSTRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRL3715ZSTRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRL3715ZSTRL, IRL3715ZSTRL 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 297.8 KB)
PDFIRL3715ZSTRRPBF 데이터 시트 표지
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IRL3715ZSTRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds870pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)45W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

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P-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1310pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SuperSOT-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2SJ067400L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100mW (Ta)

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SSSMini3-F1

패키지 / 케이스

SOT-723

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

182A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4850pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXTA)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHH21N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

176mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2015pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 8 x 8

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.3V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3400pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

107W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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