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IRL540NSTRL

IRL540NSTRL

참조 용

부품 번호 IRL540NSTRL
PNEDA 부품 번호 IRL540NSTRL
설명 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
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IRL540NSTRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRL540NSTRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRL540NSTRL, IRL540NSTRL 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 187.66 KB)
PDFIRL540NSTRL 데이터 시트 표지
IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 2 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 3 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 4 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 5 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 6 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 7 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 8 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 9 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 10 IRL540NSTRL 데이터 시트 페이지 11

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IRL540NSTRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs44mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs74nC @ 5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.8W (Ta), 140W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

515nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

900mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

490mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.16nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

78pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DFN1006-3

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

STS6P3LLH6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 24V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.7W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF1503SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 140A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5730pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.9mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2150pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

840mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

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