IRL640
참조 용
| 부품 번호 | IRL640 |
| PNEDA 부품 번호 | IRL640 |
| 설명 | MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,354 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRL640 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRL640 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IRL640 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 66nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 36W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5600pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.9W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1220pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta), 5.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.3nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT3 패키지 / 케이스 SC-96 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.3nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 402pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-MLP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
