IRLHS6376TR2PBF
참조 용
| 부품 번호 | IRLHS6376TR2PBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | IRLHS6376TR2PBF | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 53 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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IRLHS6376TR2PBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRLHS6376TR2PBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRLHS6376TR2PBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 270pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1.5W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-PQFN (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 EPC 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
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