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IRLI3803PBF

IRLI3803PBF

참조 용

부품 번호 IRLI3803PBF
PNEDA 부품 번호 IRLI3803PBF
설명 MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRLI3803PBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLI3803PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLI3803PBF, IRLI3803PBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,461.36 KB)
PDFIRLI3803PBF 데이터 시트 표지
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  • IRLI3803PBF Distributor

IRLI3803PBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs140nC @ 4.5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)63W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.15V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1316pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

55W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN3333 (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

DMP2039UFDE-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48.7nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2530pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type E)

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

NTD4302-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.4A (Ta), 68A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 24V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.04W (Ta), 75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

195nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9940pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 360mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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