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IRLR110

IRLR110

참조 용

부품 번호 IRLR110
PNEDA 부품 번호 IRLR110
설명 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 5,904
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRLR110 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLR110
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLR110, IRLR110 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 2,156.21 KB)
PDFIRLR110TRR 데이터 시트 표지
IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 2 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 3 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 4 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 5 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 6 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 7 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 8 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 9 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 10 IRLR110TRR 데이터 시트 페이지 11

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  • IRLR110 Distributor

IRLR110 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs540mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.1nC @ 5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

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P-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

116nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7860pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 21.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1.9mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

313W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

STFU16N65M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

718pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

ATP207-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2710pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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Infineon Technologies

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57.5mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

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