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IRLR2703TRLPBF

IRLR2703TRLPBF

참조 용

부품 번호 IRLR2703TRLPBF
PNEDA 부품 번호 IRLR2703TRLPBF
설명 MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,732
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRLR2703TRLPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLR2703TRLPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • IRLR2703TRLPBF Distributor

IRLR2703TRLPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds450pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)45W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5530pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

153W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FDP150N10

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 49A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4760pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPW60R070CFD7XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 15.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 760µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2721pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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