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IRLR8103VTRR

IRLR8103VTRR

참조 용

부품 번호 IRLR8103VTRR
PNEDA 부품 번호 IRLR8103VTRR
설명 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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IRLR8103VTRR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLR8103VTRR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLR8103VTRR, IRLR8103VTRR 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 111.7 KB)
PDFIRLR8103VTRR 데이터 시트 표지
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IRLR8103VTRR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)91A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs27nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2672pF @ 16V
FET 기능-
전력 손실 (최대)115W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15.9A (Ta), 54.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1666pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSON Advance (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

SIR892DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2645pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.4mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6700pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.75W (Ta), 75W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2160pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta)

작동 온도

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