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IRS20752LTRPBF

IRS20752LTRPBF

참조 용

부품 번호 IRS20752LTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRS20752LTRPBF
설명 IC GATE DRIVER 1CH 200V SOT23
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRS20752LTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRS20752LTRPBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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IRS20752LTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈µHVIC™
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)160mA, 240mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)200V
상승 / 하강 시간 (일반)85ns, 40ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-23-6

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ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

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2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

-

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

18A, 18A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

160ns, 130ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

44-DIP Module, 42 Leads

공급자 장치 패키지

Module

MC33883DW

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5.5V ~ 28V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

55V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 80ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

ISL6613BCRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

ISL89412IBZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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