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IRS2332DJTRPBF

IRS2332DJTRPBF

참조 용

부품 번호 IRS2332DJTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRS2332DJTRPBF
설명 IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRS2332DJTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRS2332DJTRPBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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  • IRS2332DJTRPBF Distributor

IRS2332DJTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)250mA, 500mA
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)80ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-LCC (J-Lead), 32 Leads
공급자 장치 패키지44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

M57161L-01

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.3V ~ 15.7V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

7A, 7A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

400ns, 400ns

작동 온도

-20°C ~ 60°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-SIP, 15 Leads

공급자 장치 패키지

Module

FAN3223CMX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

2SB315B-2MBI800U4G-120

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

NCP1392BDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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