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IS25WD020-JKLE

IS25WD020-JKLE

참조 용

부품 번호 IS25WD020-JKLE
PNEDA 부품 번호 IS25WD020-JKLE
설명 IC FLASH 2M SPI 80MHZ 8WSON
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 2,574
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS25WD020-JKLE 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS25WD020-JKLE
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS25WD020-JKLE, IS25WD020-JKLE 데이터 시트 (총 페이지: 34, 크기: 1,009.06 KB)
PDFIS25WD040-JVLE-TR 데이터 시트 표지
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  • IS25WD020-JKLE Distributor

IS25WD020-JKLE 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지3ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-WSON (6x5)

관심을 가질만한 제품

CY62256LL-70ZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP I

DS1245AB-100

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-EDIP

MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1.5Tb (192G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

267MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

272-VFBGA

공급자 장치 패키지

272-VBGA (14x18)

IDT71V65802S150BQ

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

IDT71V25761SA183BQI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

183MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

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