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IS39LV512-70VCE

IS39LV512-70VCE

참조 용

부품 번호 IS39LV512-70VCE
PNEDA 부품 번호 IS39LV512-70VCE
설명 IC FLASH 512K PARALLEL 32VSOP
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 3,562
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS39LV512-70VCE 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS39LV512-70VCE
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS39LV512-70VCE, IS39LV512-70VCE 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 287.97 KB)
PDFIS39LV010-70VCE 데이터 시트 표지
IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 2 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 3 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 4 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 5 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 6 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 7 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 8 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 9 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 10 IS39LV010-70VCE 데이터 시트 페이지 11

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IS39LV512-70VCE 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지32-VSOP

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x9)

N25Q512A83G1240E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (128M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

AT49LV001NT-12JI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

CY7C1474BV25-167BGC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

72Mb (1M x 72)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

209-BGA

공급자 장치 패키지

209-FBGA (14x22)

SST25VF080B-50-4I-QAE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (5x6)

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