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IS42RM32160E-75BLI-TR

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참조 용

부품 번호 IS42RM32160E-75BLI-TR
PNEDA 부품 번호 IS42RM32160E-75BLI-TR
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
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IS42RM32160E-75BLI-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS42RM32160E-75BLI-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS42RM32160E-75BLI-TR, IS42RM32160E-75BLI-TR 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 879.55 KB)
PDFIS42SM32160E-6BLI-TR 데이터 시트 표지
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IS42RM32160E-75BLI-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile
메모리 크기512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간6ns
전압-공급2.3V ~ 3V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-TFBGA
공급자 장치 패키지90-TFBGA (8x13)

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메모리 유형

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메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-VFBGA

공급자 장치 패키지

78-VFBGA (8x10.5)

S29CL032J0JQAI000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

CL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (1M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

54ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-BQFP

공급자 장치 패키지

80-PQFP (20x20)

CG8304AAT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS42S32800D-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

AS4C32M16SA-7TINTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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