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IS43LD32640B-25BPLI-TR

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참조 용

부품 번호 IS43LD32640B-25BPLI-TR
PNEDA 부품 번호 IS43LD32640B-25BPLI-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43LD32640B-25BPLI-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43LD32640B-25BPLI-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43LD32640B-25BPLI-TR, IS43LD32640B-25BPLI-TR 데이터 시트 (총 페이지: 145, 크기: 6,533.95 KB)
PDFIS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 표지
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IS43LD32640B-25BPLI-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스168-VFBGA
공급자 장치 패키지168-VFBGA (12x12)

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기술

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메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

IS41LV16100D-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM - EDO

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

42-SOJ

MT29F4G08ABADAWP-E:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

IDT71V424S12Y

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

36-SOJ

S34ML08G101BHI003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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