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IS43TR16128A-125KBL

IS43TR16128A-125KBL

참조 용

부품 번호 IS43TR16128A-125KBL
PNEDA 부품 번호 IS43TR16128A-125KBL
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 6,120
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예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43TR16128A-125KBL 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43TR16128A-125KBL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43TR16128A-125KBL, IS43TR16128A-125KBL 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 3,762.92 KB)
PDFIS46TR16128A-15HBLA1 데이터 시트 표지
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IS43TR16128A-125KBL 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-TWBGA (9x13)

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메모리 유형

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메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

64-LFBGA, CSP (11x13)

24AA04H-I/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 8 x 2)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

IS43DR82560B-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TWBGA (10.5x13)

CY7C1019CV33-15ZXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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