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IS45S16400F-6TLA1-TR

IS45S16400F-6TLA1-TR

참조 용

부품 번호 IS45S16400F-6TLA1-TR
PNEDA 부품 번호 IS45S16400F-6TLA1-TR
설명 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 4,212
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS45S16400F-6TLA1-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS45S16400F-6TLA1-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS45S16400F-6TLA1-TR, IS45S16400F-6TLA1-TR 데이터 시트 (총 페이지: 59, 크기: 1,324.08 KB)
PDFIS45S16400F-7BLA2-TR 데이터 시트 표지
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IS45S16400F-6TLA1-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LQFP

공급자 장치 패키지

44-TQFP (10x10)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

W25M02GVTCIT TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

700µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-TFBGA (6x8)

CAV25020VE-GT3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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