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IS46DR81280C-3DBLA2-TR

IS46DR81280C-3DBLA2-TR

참조 용

부품 번호 IS46DR81280C-3DBLA2-TR
PNEDA 부품 번호 IS46DR81280C-3DBLA2-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS46DR81280C-3DBLA2-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS46DR81280C-3DBLA2-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS46DR81280C-3DBLA2-TR, IS46DR81280C-3DBLA2-TR 데이터 시트 (총 페이지: 49, 크기: 1,094.66 KB)
PDFIS46DR81280C-3DBLA2 데이터 시트 표지
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IS46DR81280C-3DBLA2-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간450ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 105°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-TWBGA (8x10.5)

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Micron Technology Inc.

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Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

16Gb (2G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

900ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

S29GL128S10FHIV20

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

MT61K256M32JE-12:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR6

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.5GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.39V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Sub-Base Mount

패키지 / 케이스

180-TFBGA

공급자 장치 패키지

180-FBGA (12x14)

R1LP0408DSP-5SR#S0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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