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IS46TR16128CL-15HBLA2

IS46TR16128CL-15HBLA2

참조 용

부품 번호 IS46TR16128CL-15HBLA2
PNEDA 부품 번호 IS46TR16128CL-15HBLA2
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 3,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS46TR16128CL-15HBLA2 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS46TR16128CL-15HBLA2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS46TR16128CL-15HBLA2, IS46TR16128CL-15HBLA2 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 4,526.78 KB)
PDFIS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 표지
IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 2 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 3 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 4 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 5 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 6 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 7 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 8 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 9 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 10 IS43TR16128C-107MBLI 데이터 시트 페이지 11

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IS46TR16128CL-15HBLA2 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-TWBGA (9x13)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT49SV163DT-80CU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-CBGA

공급자 장치 패키지

48-CBGA (7x10)

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

메모리 크기

4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

23LC512T-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS42S32400B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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