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IS61NVF51236-6.5B3

IS61NVF51236-6.5B3

참조 용

부품 번호 IS61NVF51236-6.5B3
PNEDA 부품 번호 IS61NVF51236-6-5B3
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 2,412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS61NVF51236-6.5B3 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61NVF51236-6.5B3
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61NVF51236-6.5B3, IS61NVF51236-6.5B3 데이터 시트 (총 페이지: 35, 크기: 496.97 KB)
PDFIS61NVF51236-7.5B3I 데이터 시트 표지
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IS61NVF51236-6.5B3 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간6.5ns
전압-공급2.375V ~ 2.625V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-TBGA
공급자 장치 패키지165-TFBGA (13x15)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

7025S17G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

17ns

접근 시간

17ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

84-BPGA

공급자 장치 패키지

84-PGA (27.94x27.94)

CY7C2670KV18-450BZI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II+

메모리 크기

144Mb (4M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

450MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

IDT70P3537S233RM

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

233MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.2ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)

93LC76CT-I/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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