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IS61QDB22M18A-250M3LI

IS61QDB22M18A-250M3LI

참조 용

부품 번호 IS61QDB22M18A-250M3LI
PNEDA 부품 번호 IS61QDB22M18A-250M3LI
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61QDB22M18A-250M3LI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61QDB22M18A-250M3LI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61QDB22M18A-250M3LI, IS61QDB22M18A-250M3LI 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 830.74 KB)
PDFIS61QDB22M18A-250M3LI 데이터 시트 표지
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IS61QDB22M18A-250M3LI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QUAD
메모리 크기36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간8.4ns
전압-공급1.71V ~ 1.89V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-LFBGA (15x17)

관심을 가질만한 제품

MT46V32M8FG-6 IT:G TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-FBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x14)

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

MT41J256M8HX-15E IT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9x11.5)

S25FL127SABMFV103

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

5962F1120201QXA

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

165-BFCCGA

공급자 장치 패키지

165-CCGA (21x25)

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