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IS61QDPB42M36A-500B4L

IS61QDPB42M36A-500B4L

참조 용

부품 번호 IS61QDPB42M36A-500B4L
PNEDA 부품 번호 IS61QDPB42M36A-500B4L
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61QDPB42M36A-500B4L 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61QDPB42M36A-500B4L
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61QDPB42M36A-500B4L, IS61QDPB42M36A-500B4L 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 912.84 KB)
PDFIS61QDPB42M36A-550M3LI 데이터 시트 표지
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IS61QDPB42M36A-500B4L 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QUADP
메모리 크기72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수500MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간8.4ns
전압-공급1.71V ~ 1.89V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-LFBGA (13x15)

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

30µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

CY7C1372KV25-167AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

THGBMFG6C1LBAIL

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

153-FBGA (11.5x13)

24LC32AFT-I/MNY

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (2x3)

CY7C1523AV18-200BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

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