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IS66WV51216EBLL-70TLI

IS66WV51216EBLL-70TLI

참조 용

부품 번호 IS66WV51216EBLL-70TLI
PNEDA 부품 번호 IS66WV51216EBLL-70TLI
설명 IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 6,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS66WV51216EBLL-70TLI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS66WV51216EBLL-70TLI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS66WV51216EBLL-70TLI, IS66WV51216EBLL-70TLI 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 692.71 KB)
PDFIS66WV51216EBLL-55BLI-TR 데이터 시트 표지
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IS66WV51216EBLL-70TLI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷PSRAM
기술PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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제조업체

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

750µs

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (6x8)

W29N01GVSIAA

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

EDW4032BABG-60-F-R TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.5GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.65V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

SST39WF800B-70-4C-MAQE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

40µs

접근 시간

70ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-WFBGA

공급자 장치 패키지

48-WFBGA (6x4)

MR25H256MDF

Everspin Technologies Inc.

제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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