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ISL6608IRZ-T

ISL6608IRZ-T

참조 용

부품 번호 ISL6608IRZ-T
PNEDA 부품 번호 ISL6608IRZ-T
설명 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ISL6608IRZ-T 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL6608IRZ-T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ISL6608IRZ-T, ISL6608IRZ-T 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 602.4 KB)
PDFISL6608IRZ-T 데이터 시트 표지
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  • ISL6608IRZ-T Distributor

ISL6608IRZ-T 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 5.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)22V
상승 / 하강 시간 (일반)8ns, 8ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-QFN (3x3)

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Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

50A, 50A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

4500V

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

TPIC46L03DBG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

6

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2mA, 1.2mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3.5µs, 3µs

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SSOP

IR4426S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.3A, 3.3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IXDD604SIA

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FAN3229CMX-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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