ISL6612BECBZ
참조 용
| 부품 번호 | ISL6612BECBZ |
| PNEDA 부품 번호 | ISL6612BECBZ |
| 설명 | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC |
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,696 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ISL6612BECBZ 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ISL6612BECBZ |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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ISL6612BECBZ 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Synchronous |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 7V ~ 13.2V |
| 논리 전압-VIL, VIH | - |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 1.25A, 2A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 36V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 26ns, 18ns |
| 작동 온도 | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC-EP |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3A, 3A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 12ns, 12ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH 0.7V, 3.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 35V 상승 / 하강 시간 (일반) 16ns, 11ns 작동 온도 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (2x2) |
