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ISL6612CB-T

ISL6612CB-T

참조 용

부품 번호 ISL6612CB-T
PNEDA 부품 번호 ISL6612CB-T
설명 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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ISL6612CB-T 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL6612CB-T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ISL6612CB-T, ISL6612CB-T 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 674.48 KB)
PDFISL6612CRZ-TR5238 데이터 시트 표지
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  • ISL6612CB-T Distributor

ISL6612CB-T 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급10.8V ~ 13.2V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.25A, 2A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)36V
상승 / 하강 시간 (일반)26ns, 18ns
작동 온도0°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 1.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

공급자 장치 패키지

TSOT-23-5

FAN7371MX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

ISL6610ACBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

ZXGD3101T8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

305ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SM8

LTC4449EDCB

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 6.5V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 6.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.2A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

42V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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