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ISL6700IRZ-T

ISL6700IRZ-T

참조 용

부품 번호 ISL6700IRZ-T
PNEDA 부품 번호 ISL6700IRZ-T
설명 IC DRIVER HALF BRIDGE TTL 12-QFN
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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ISL6700IRZ-T 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL6700IRZ-T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ISL6700IRZ-T, ISL6700IRZ-T 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 484.64 KB)
PDFISL6700IRZ-T 데이터 시트 표지
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  • ISL6700IRZ-T Distributor

ISL6700IRZ-T 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급9V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.4A, 1.3A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)80V
상승 / 하강 시간 (일반)5ns, 5ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-VQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-QFN (4x4)

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채널 유형

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게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

11V ~ 50V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

700ns, 500ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MIC4480YM-T5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 32V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

120ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

L9856-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.4V ~ 6.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

150V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AUIRS2336STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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