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ISL78444AVEZ-T7A

ISL78444AVEZ-T7A

참조 용

부품 번호 ISL78444AVEZ-T7A
PNEDA 부품 번호 ISL78444AVEZ-T7A
설명 100V BOOT 4A PEAK HALF-BRIDGE DR
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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ISL78444AVEZ-T7A 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL78444AVEZ-T7A
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ISL78444AVEZ-T7A, ISL78444AVEZ-T7A 데이터 시트 (총 페이지: 34, 크기: 1,673.71 KB)
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ISL78444AVEZ-T7A 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈ISL78444
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH1V, 2.1V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)100V
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 140°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지14-HTSSOP

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

MIC4103YM-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TC426EUA713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

AUIRS2334S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 8ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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