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ISL89162FBEAZ

ISL89162FBEAZ

참조 용

부품 번호 ISL89162FBEAZ
PNEDA 부품 번호 ISL89162FBEAZ
설명 IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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ISL89162FBEAZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL89162FBEAZ
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ISL89162FBEAZ, ISL89162FBEAZ 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 750.69 KB)
PDFISL89162FRTBZ 데이터 시트 표지
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  • ISL89162FBEAZ Distributor

ISL89162FBEAZ 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 16V
논리 전압-VIL, VIH1.22V, 2.08V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)6A, 6A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-SOIC-EP

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제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 6.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN (4x5)

1EBN1001AEXUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q100, EiceDriver™

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

13V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 90ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-DSO-14-43

EL7104CNZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IRS21952SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge, Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

3

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

ISL83202IBZT

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

70V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 9ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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