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ISL9V3036S3ST

ISL9V3036S3ST

참조 용

부품 번호 ISL9V3036S3ST
PNEDA 부품 번호 ISL9V3036S3ST
설명 IGBT 360V 21A 150W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ISL9V3036S3ST 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL9V3036S3ST
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
ISL9V3036S3ST, ISL9V3036S3ST 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 539.25 KB)
PDFISL9V3036S3S 데이터 시트 표지
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ISL9V3036S3ST 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈EcoSPARK®
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)360V
전류-수집기 (Ic) (최대)21A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 6A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지17nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/4.8µs
테스트 조건300V, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

14A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

전력-최대

75W

에너지 전환

590µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/220ns

테스트 조건

850V, 6A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRGB4715DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

전력-최대

100W

에너지 전환

200µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/100ns

테스트 조건

400V, 8A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

86ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

HGTG10N120BND

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

850µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGW40N120KD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.85V @ 15V, 30A

전력-최대

240W

에너지 전환

3.7mJ (on), 5.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

126nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/338ns

테스트 조건

960V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

84ns

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4PH30KD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 10A

전력-최대

100W

에너지 전환

950µJ (on), 1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/220ns

테스트 조건

800V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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