IX2R11S3
참조 용
| 부품 번호 | IX2R11S3 |
| PNEDA 부품 번호 | IX2R11S3 |
| 설명 | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,284 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IX2R11S3 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IX2R11S3 |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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IX2R11S3 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 10V ~ 35V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 6V, 9.6V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 500V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 8ns, 7ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 16-SOIC |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 36V 상승 / 하강 시간 (일반) 10ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN-EP (3x3) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 1.4V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 114V 상승 / 하강 시간 (일반) 10ns, 10ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 9-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 9-TDFN (4x4) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 15V 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-SOIC-EP |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 9A, 9A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 22ns, 22ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-TDFN (2x3) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 6A, 6A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-SOIC-EP |
