IX4R11S3T/R
참조 용
| 부품 번호 | IX4R11S3T/R |
| PNEDA 부품 번호 | IX4R11S3T-R |
| 설명 | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,610 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IX4R11S3T/R 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IX4R11S3T/R |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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IX4R11S3T/R 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 10V ~ 35V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 6V, 7V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 4A, 4A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 650V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 23ns, 22ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 16-SOIC |
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 5A, 5A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 7ns, 6ns 작동 온도 -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-MSOP-PowerPad |
